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海力士首例40nm 2Gb GDDR5芯片诞生

2009-12-22小烈MCPLive.cn

海力士半导体日前高调的宣布,他们已经成功研发出首例采用40nm技术的2Gb GDDR5 DRAM芯片,主要应用于显卡和游戏控制台。工作电压为1.35V,相比采用了50nm工艺的同等芯片可以节省20%的功耗,而其32位I/O的连接端口可以达到7Gbps (7000 MHz)。

海力士的2Gb GDDR5芯片计划在明年下半年正式进入量产阶段,说不定,我们未来可以在NVIDIA和AMD的下一代或下下代GPU中产品中可以见到它。

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